SJ 50033.73-1995 半导体分立器件.QL74型硅单相桥式整流器详细规范
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文件大小(MB)： |
0.4 |
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10 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/73-1995,半导体分立器件,QL74型硅单相桥式整流器详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type QL74,silicon sir^le phase bridge rectifier,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批灌,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,QL74型硅单相桥式整流器详细规范 引5QQ33/737995,Semiconductor discrete device,Detail specification for type QL74,silicon single phase bridge rectifier,范围,1.I 主题内容,本规范规定了电源设备用的QL74型硅单相格式整流器（以下简称器件）的详细要求.,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范）1.3条的规定,提供的质量等级为普军和特军级,分别,用字母GP和GT表示,2引用文件,GB 4023-86半导体分立器件 第2部分:整流二极管,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-85半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为铜材,引出端表面应为锡层。对引出端涂层另有要求时,在合同或订货单,中应予规定（见6.3条）,中华人民共和国电子工业部1995』5-25发布 1995-12-01实施,—1 —,SJ 50033/73-1995,3.2.2 器件结构,器件采用二极管管芯烧结在基片上,装入金属外壳,用环辄树脂灌封,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合本规范图1的规定,mm,符号,尺 寸,最小値最大值,A,B,C,D,E,F,G,K,婀,28.32,17.47,15.69,13.46,21.74,10,84,28.82,18.49,16.74,14.47,23.24,11.35,6.35,0.8,5.2,13最大额定值和主要电特性,3.3.1最大额定值,型号,Vr利M,(V),壮,n = 55C,(A),^F5M,TC = 55V,fp= IOihb,(A),%,(t) (t),QL74D,QL74F,QL74H,200,400,600,10 100 355m5 -55-+ 130,注:l）Tc>5St!按142.81nA/じ线性降额,3.3.2主要电特性（1\ = 25じ）,昨乂(单管),= 15A,(V),.fRl(单管),Vr= Vrwm,(㈤,3(单管),rA=ioer,Vrwm,(開),1.5 10 209,—2 '******,下载,SJ 50033/73-1995,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4023及本规范的规定,3.5 标志,标志应按GJB 33和本规范的规定,4质丒保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT级）,筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行。超过本规范表,1极限值的器件应予剔出,筛 选,（见GJB 33的表2）,测试或试脸,i,3、热冲击（温度循环） 除低温为-55じ,,循环10次外,其余同试验条件B,4、恒定加速度不要求,5、密封不要求,6、高温反偏Ta=125V,7、中间参数测试Iri、ドfm,8、工作热循环见本规范4.5.2,其中循环720次,9、最后测试本规范表1的A2分组;,△ん产初始值的100%或500nA,取较大者,avfm= ±o.iv,4.4 质量…致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定,由A组、B组和C组檢验或试验组成,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范中表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范中表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范中表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范的表1、表2和表3以及下列规定,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3.3.2.1的规定,4.5.2 工作热循环,进行本项试验时,器件的交流端输入50Hz正弦波电压,保持器件的输出电流为!0A?管壳,—3 -,SJ 50033/73-1995,温度为55C。通电时间￡]28min,断电时间な＞2min,为ー个循环。断电期间使管壳温度下,降至35七以下,开始下一个循环,4.5,3绝缘强度,金属外壳接地,所有引出端接到直流电源高压端,在壳和引出端之间施加电压200QV,并,保持10s,反向电流不超过IQfiA为合格,表1 A组检验,检験或试验,GB 4023,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A1分组,外观和机械检验,GJB 128,2071,5,A2分组,正向电压（単管）,反向电流（单管）,IV-1 2 3,IV-1.4.1,/fm = 15A,￡产3002,占空因数近2%,%= VRWM,5,エ削,一L5,10,V,バ,A3分组,高温工作,反向电流（单管） IV-1 4 1,77……
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